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发明名称
PROCESS FOR MANUFACUTING A HIGHLY INTEGRATED COMPLEMENTARY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT USING SILICON GATE TECHNOLOGY
摘要
申请公布号
DE3274601(D1)
申请公布日期
1987.01.15
申请号
DE19823274601
申请日期
1982.08.10
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN
发明人
SCHWABE, ULRICH, DR.;JACOBS, ERWIN, DR.;SCHEIBE, ADOLF, DR.
分类号
H01L21/265;H01L21/28;H01L21/82;(IPC1-7):H01L21/82
主分类号
H01L21/265
代理机构
代理人
主权项
地址
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