DISPOSITIF MAGNETIQUE A JONCTION TUNNEL MAGNETORESISTIVE ET MEMOIRE MAGNETIQUE A ACCES ALEATOIRE

摘要

Le dispositif magnétique comprend une jonction tunnel magnétorésistive (100) qui comporte : une couche magnétique de référence (120) ayant une aimantation de direction fixe, une couche magnétique de stockage (110) ayant une aimantation de direction variable, et une couche intermédiaire (130) servant de barrière tunnel qui est essentiellement semiconductrice ou électriquement isolante et qui sépare la couche magnétique de référence (120) de la couche magnétique de stockage (110). Le profil de potentiel de la couche intermédiaire (130) est asymétrique selon l'épaisseur de cette couche (130) de manière à produire une réponse en courant asymétrique en fonction de la tension appliquée. Le dispositif est applicable aux mémoires magnétiques à accès aléatoire.