| 主权项 |
1.一种散热装置,系应用于一发热元件上,该散热装 置包括: 一腔体,具有一内壁; 一工作流体,位于该腔体中; 一蒸发部与一冷凝部,位于该内壁上;以及 至少一第一微细沟槽,位于该内壁上,连接该蒸发 部与该冷凝部之间; 其中,该工作流体在该蒸发部吸收该发热元件之热 量而蒸发,于该冷凝部放出热量后凝结成液态,并 藉由该些第一微细沟槽所提供的毛细力使该工作 流体流回该蒸发部。 2.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该散 热装置更包括至少一第二微细沟槽,形成于该内壁 上,且每该第二微细沟槽系同时与多个第一微细沟 槽相连接。 3.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该腔 体之内壁系以一基板摺曲形成,且每该些第二微细 沟槽系分别位于摺曲处。 4.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该些 第二微细沟槽之宽度系大于该些第一微细沟槽之 宽度。 5.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该些 第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,呈辐射状配置 。 6.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该些 第一微细沟槽与该些第二微细沟槽系呈网格状配 置。 7.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该些 第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,成复数个同心 圆配置。 8.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中该蒸 发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽与该些第二 微细沟槽系以一微模造成型方法形成于该腔体之 内壁上。 9.如申请专利范围第8项所述之散热装置,其中该腔 体之内壁系以一基板摺曲形成且该微模造成型方 法包括: 一模具制造程序,包括: 提供一基材; 于该基材上形成一预模仁层,并以一微机电加工方 法,将该预模仁层加工而形成一预模仁; 将一模仁材料形成于该预模仁上,使该模仁材料成 型为一模仁;以及 将该模仁制作成为一模具;以及 一模造程序,包括利用该模具模造该基板,使该蒸 发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽形成于该基 板上。 10.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中系 以一雷射切割方式制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽 与该些第二微细沟槽于该腔体之内壁上。 11.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中系 以一精密加工技术制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽 与该些第二微细沟槽于该腔体之内壁上 12.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,呈辐射状配 置。 13.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 些第一微细沟槽系呈网格状配置。 14.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,成复数个同 心圆配置。 15.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 蒸发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽系以一微 模造成型方法形成于该腔体之内壁上。 16.如申请专利范围第15项所述之散热装置,其中该 腔体之内壁系以一基板摺曲形成且该微模造成型 方法包括: 一模具制造程序,包括: 提供一基材; 于该基材上形成一预模仁层,并以一微机电加工方 法,将该预模仁层加工而形成一预模仁; 将一模仁材料形成于该预模仁上,使该模仁材料成 型为一模仁;以及 将该模仁制作成为一模具;以及 一模造程序,包括利用该模具模造该基板,使该蒸 发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽形成于该基 板上。 17.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中系 以一雷射切割方式制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽 于该腔体之内壁上。 18.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中系 以一精密加工技术制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽 于该腔体之内壁上。 19.如申请专利范围第1项所述之散热装置,系应用 于一发热元件上,且该蒸发部系相对于该发热元件 配置。 20.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 散热装置系一热均温腔体。 21.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中该 工作流体系选择自一由无机化合物、水、醇类、 液态金属、酮类、冷媒,以及有机化合物所组成的 族群中。 22.一种散热装置之制造方法,包括: 提供一基板; 形成一蒸发部、一冷凝部,与至少一第一微细沟槽 于该基板上;以及 使该基板形成一腔体,且该蒸发部、该冷凝部,与 该些第一微细沟槽系位于该腔体之内壁上。 23.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 基板上更形成有至少一第二微细沟槽,且位于该内 壁上,每该第二微细沟槽系同时与多个第一微细沟 槽相连接。 24.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 腔体之内壁系利用摺曲之方式形成,且每该些第二 微细沟槽系分别位于摺曲处。 25.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 些第二微细沟槽之宽度系大于该些第一微细沟槽 之宽度。 26.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,呈辐射状配 置。 27.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽与该些第二微细沟槽系呈网格状 配置。 28.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,成复数个同 心圆配置。 29.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该 蒸发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽与该些第 二微细沟槽系以一微模造成型方法形成于该基板 上。 30.如申请专利范围第29项所述之制造方法,其中该 微模造成型方法包括: 一模具制造程序,包括: 提供一基材; 于该基材上形成一预模仁层,并以一微机电加工方 法,将该预模仁层加工而形成一预模仁; 将一模仁材料形成于该预模仁上,使该模仁材料成 型为一模仁;以及 将该模仁制作成为一模具;以及 一模造程序,包括利用该模具模造该基板,使该蒸 发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽形成于该基 板上。 31.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中系 以一雷射切割方式制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽 与该些第二微细沟槽于该基板上。 32.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中系 以一精密加工技术制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部、该些第一微细沟槽 与该些第二微细沟槽于该基板上。 33.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,呈辐射状配 置。 34.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽系呈网格状配置。 35.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 些第一微细沟槽系以该蒸发部为中心,成复数个同 心圆配置。 36.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 蒸发部、该冷凝部、与该些第一微细沟槽系以一 微模造成型方法形成于该基板上。 37.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 微模造成型方法包括: 一模具制造程序,包括: 提供一基材; 于该基材上形成一预模仁层,并以一微机电加工方 法,将该预模仁层加工而形成一预模仁; 将一模仁材料形成于该预模仁上,使该模仁材料成 型为一模仁;以及 将该模仁制作成为一模具;以及 一模造程序,包括利用该模具模造该基板,使该蒸 发部、该冷凝部,与该些第一微细沟槽形成于该基 板上。 38.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中系 以一雷射切割方式制作一模具后,利用该模具模造 以形成于该基板上。 39.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中系 以一精密加工技术制作一模具后,利用该模具模造 以形成该蒸发部、该冷凝部、与该些第一微细沟 槽于该基板上。 40.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中使 该基板形成一腔体之步骤包括: 摺曲该基板,使该基板形成一管体; 将该管体之一端封闭; 注入一工作流体与抽真空;以及 将该管体之另一端封闭。 41.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 散热装置系应用于一发热元件上,且该蒸发部系相 对于该发热元件配置。 42.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 散热装置系一热均温腔体。 43.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 腔体中容置有一工作流体。 44.如申请专利范围第43项所述之制造方法,其中该 工作流体系选择自一由无机化合物、水、醇类、 液态金属、酮类、冷媒,以及有机化合物所组成的 族群中。 图式简单说明: 第1图绘示乃本发明较佳实施例之散热装置及其所 应用之发热元件的示意图。 第2图绘示乃热均温腔体之剖示图。 第3A图绘示乃腔体展开时的示意图。 第3B图绘示乃摺曲基板形成腔体的示意图。 第4A图绘示乃另一种基板的示意图。 第4B图绘示乃再一种基板的示意图。 |
