适用于半导体制程腔中之基板支撑件,申请号TW095211750-传众专利搜索

发明名称	适用于半导体制程腔中之基板支撑件
摘要	本创作之实施例提供一种适用于蚀刻高深宽比结构之装置，如制程腔；其他实施例包括利用于制程腔中之一基板支撑件。于一实施例中，基板支撑件包括一静电吸座，而吸座包括一主体，具有一由上壁、一中壁以及一下壁所定义出的外径，而中壁之高度系小于下壁，但大于上壁；吸座亦包括嵌设其中的一嵌位电极。于另一实施例中，利用于半导体制程腔之一基板支撑件包括一静电吸座、一基部以及一升降销导引组件，而升降销导引组件结合至基部，并部分延伸至静电吸座之主体。
申请公布号	TWM318185	申请公布日期	2007.09.01
申请号	TW095211750	申请日期	2006.06.30
申请人	应用材料股份有限公司	发明人	帕马西沙玛;道彗奇;周逍平;麦克唐诺凯利A MCDONOUGH, KELLY A.;迪内夫吉可;阿保马利费立德;古特瑞兹大卫E GUTIERREZ, DAVID E.;何忠义吉姆;克拉克罗伯S CLARK, ROBERT S.;古沙丹尼斯M KOOSAU, DENNIS M.;迪兹杰弗瑞威廉;史甘兰迪克兰;戴希缪克沙珊克;彼得森亚历桑德;荷伦约翰P HOLLAND, JOHN P.
分类号	H01L21/02(2006.01)	主分类号	H01L21/02(2006.01)
代理机构		代理人	蔡坤财台北市中山区松江路148号11楼;李世章台北市中山区松江路148号11楼
主权项	1.一种适用于一半导体制程腔中之基板支撑件,该基板支撑件包括: 一静电吸座,包括: 一主体,具有一由一上壁、一中壁以及一下壁定义出之外径;其中该中壁之一高度小于该下壁之一高度,且大于该上壁之一高度;以及一嵌设于该静电吸座内之嵌位电极。 2.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其中该主体更包括陶瓷。 3.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其更包括: 一定义于该上壁与该中壁之间的上突出部;以及一定义于该中壁与该下壁之间的下突出部。 4.如申请专利范围第3项所述之基板支撑件,其中该上突出部较该下突出部短。 5.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其更包括: 一设置于该主体内之电阻加热器。 6.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其更包括: 至少一设置于该主体内之温度感测器。 7.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其更包括: 一设置于该主体内之第一温度感测器;以及一设置于该主体内之第二温度感测器,并径向排列于该第一温度感测器之内侧。 8.如申请专利范围第1项所述之基板支撑件,其更包括: 一基部;以及一升降销导引组件,结合至该基部并部分延伸至该主体。 9.如申请专利范围第8项所述之基板支撑件,其中该基部更包括: 至少二分离之冷却通道,形成于该基部内,用以于该些冷却通道内流通一热传流体。 10.如申请专刹范围第9项所述之基板支撑件,其中该基部更包括: 介于该些分离的冷却通道之间,并嵌设于该基部内之一热隔离器。 11.如申请专利范围第8项所述之基板支撑件,其中该升降销导引组件更包括: 一导引件,具有一上突出物以及一下突出物,该上突出物与该主体之一下表面的一凹部接合;以及一定位器,结合至该基部,并具有一沿着至少一部份之该下突出物的周围而延伸之套筒。 12.如申请专利范围第11项所述之基板支撑件,其中该升降销导引组件更包括: 一弹性元件,系夹置于该导引件以及该定位器之间。 13.一种适用于一半导体制程腔中之基板支撑件,该基板支撑件包括: 一静电吸座,包括: 一陶瓷主体,具有设置于一阶形外壁之一上突出部以及一下突出部,该上突出部较该下突出部短;以及一嵌设于该主体内之嵌位电极;以及一基部;以及一升降销导引组件,结合至该基部并部分延伸至该主体。 14.如申请专利范围第13项所述之基板支撑件,其中该阶形外壁更包括: 一上壁; 一中壁;以及一下壁。 15.如申请专利范围第14项所述之基板支撑件,其中该中壁之一高度小于该下壁之一高度,且大于该上壁之一高度。 16.如申请专利范围第15项所述之基板支撑件,其更包括: 一设置于该主体内之电阻加热器; 一设置于该主体内之第一温度感测器;以及一设置于该主体内之第二温度感测器,并径向排列于该第一温度感测器之内侧。 17.如申请专利范围第13项所述之基板支撑件,其中该基部更包括: 至少二分离之冷却通道,形成于该基部内,用以于该些冷却通道内流通一热传流体。 18.如申请专利范围第17项所述之基板支撑件,其中该基部更包括: 介于该些分离的冷却通道之间,并嵌设于该基部内之一热隔离器。 19.如申请专利范围第13项所述之基板支撑件,其中该升降销导引组件更包括: 一导引件,具有一上突出物以及一下突出物,该上突出物与该主体之一下表面的一凹部接合;以及一定位器,结合至该基部,并具有一沿着至少一部份之该下突出物的周围而延伸之套筒。 20.如申请专利范围第19项所述之基板支撑件,其中该升降销导引组件更包括: 一弹性元件,系夹置于该导引件以及该定位器之间。 21.一种适用于一半导体制程腔中之基板支撑件,该基板支撑件包括: 一静电吸座,包括: 一陶瓷主体,具有设置于一阶形外壁之一上突出部以及一下突出部,该上突出部较该下突出部短;以及一嵌设于该静电吸座内之嵌位电极; 一设置于该主体内之电阻加热器; 一设置于该主体内之第一温度感测器;以及一设置于该主体内之第二温度感测器,并径向排列于该第一温度感测器之内侧;以及一基部,包括: 至少二分离之冷却通道,形成于该基部内,用以于该些冷却通道内流通一热传流体;以及一热隔离器,介于该些分离的冷却通道之间,并嵌设于该基部内;以及一升降销导引组件,系结合至该基部并部分延伸至该主体,该升降销导引组件包括: 一导引件,具有一上突出物以及一下突出物,该上突出物与该主体之一下表面的一凹部接合;以及一定位器,结合至该基部,并具有一沿着至少一部份之该下突出物的周围而延伸之套筒;以及一弹性元件,系夹置于该导引件以及该定位器之间。图式简单说明: 第1图,绘示本创作之制程腔的一实施例之剖面图。第2图,绘示喷气头的一实施例之剖面图。第3图,绘示第2图的喷气头之插塞的一实施例剖面图。第4图,绘示第2图的喷气头之剖面图。第5图,绘示第2图的喷气头之另一剖面图。第6图,沿着第5图的剖面线6-6所绘示之喷气头的部分剖面图。第7图,绘示喷气头的另一实施例之剖面图。第8图,绘示气体控制之一实施例的流程图,用以说明第1图之制程腔中气体的流动路线以及控制。第9~10图,绘示衬垫之一实施例的透视图及部分剖面图。第11图,绘示基板支撑组件支撑一遮盖环的实施例之部分剖面图。第12图,绘示基板支撑组件之剖面图,用以说明升降销导引组件之一实施例。
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