发明名称 PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE IN FORMA IBRIDA DI CIRCUITI INTEGRATI A MICROONDE AVENTI LE STESSE PRESTAZIONI E DIMENSIONI DI QUELLI REALIZZATI IN FORMA MONOLITICA
摘要 The passive circuit is-formed by deposition on an insulating or semi- insulating substrate, whereas the active components are formed separately and are subsequently fixed on to said passive circuit.
申请公布号 IT1153145(B) 申请公布日期 1987.01.14
申请号 IT19820022672 申请日期 1982.07.30
申请人 CISE CENTRO INFORMAZIONI STUDI ESPERIENZE SPA 发明人 DONZELLI GIANPIERO
分类号 H01L21/98;H01L25/16 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人
主权项
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