| 发明名称 |
A buried heterostructure semiconductor laser. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0208209(A2) |
申请公布日期 |
1987.01.14 |
| 申请号 |
EP19860108724 |
申请日期 |
1986.06.26 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
SUGOU, SHIGEO;YANASE, TOMOO |
| 分类号 |
H01S5/227;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 |
主分类号 |
H01S5/227 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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