| 发明名称 | 电绝缘层 | ||
| 摘要 | 由非单晶物质构成的电绝缘薄层，用等离子CVD(化学汽相淀积)法或溅射法淀积在基片上，含碳量按原子算不低于10％。电绝缘层比较薄而且有优越的耐热性和高的介质击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN85101843A | 申请公布日期 | 1987.01.10 |
| 申请号 | CN85101843 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 钟渊化学工业株式会社 | 发明人 | 西村国夫;中山威久;津下和永;太和田目久 |
| 分类号 | H01B3/00 | 主分类号 | H01B3/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 李先春 |
| 主权项 | 1、由非单晶物质组成的电绝缘薄层采用等离子体CVD法或溅射法淀积在基片上，其含碳量按原子算不少于10%。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||