发明名称 单晶生长装置(设备)
摘要 为了增加单晶生长速率,必要增加固一液交界面的固相单晶内的温度梯度(<img file="85101043_ab_0.GIF" wi="77" he="57" />)。因为提拉单晶总是受到来自加热器的辐射热,所以最好要降低加热器的温度。尽管如此,当这里加热器的温度降低了,便存在一个课题,即熔融液体表面很容易在液体与坩埚内壁连接的部位发生凝固。为了克服上述问题,加热器设计成使得熔融液体的上部加热到比熔融液体下部的温度要高。
申请公布号 CN85101043A 申请公布日期 1987.01.10
申请号 CN85101043 申请日期 1985.04.01
申请人 索尼公司 发明人 铃目利彦;星金治;伊沢伸幸;大九保安教
分类号 C30B15/00 主分类号 C30B15/00
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 李先春
主权项 1、在单晶生长装置中、包括放置晶体材料液体的坩埚、加热晶体成液相的加热装置,及从熔体中提拉单晶的装置,其特征在于:所述的加热装置设计成使得熔融晶体表面连接坩埚内壁的部分加热到比坩埚其它部分要高出一定数量。
地址 日本东京都品川北品川6丁目7番35号