半导体基板之制造方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体基板的制造方法以及半导体装置的制造方法,其可避免形成于半导体基板中之装置的闸极氧化膜之崩溃电压减少,以增加闸极氧化膜可靠度。依据本发明的半导体基板的制造方法包括:曝露出由单晶矽所制成之主动层基板1的矽表面,半导体装置形成至该主动层基板1;形成氧化膜于单晶矽所制成之支撑基板2上;以及将主动层基板的矽表面1结合至形成于支撑基板2上的氧化膜。藉由移除形于表面上之自发性氧化膜7,曝露出主动层基板1的矽表面。