首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 IMPURITY THERMAL DIFFUSION INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPS622530(A) 申请公布日期 1987.01.08
申请号 JP19850140771 申请日期 1985.06.27
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 YAGI TETSUYA
分类号 H01L21/22 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com