发明名称 HEAT TREATMENT FOR INGAAS ION IMPLANTED CONDUCTIVE LAYER
摘要
申请公布号 JPS622532(A) 申请公布日期 1987.01.08
申请号 JP19850140975 申请日期 1985.06.27
申请人 NEC CORP 发明人 OZAWA TOSHIHARU
分类号 H01L21/26;H01L21/265 主分类号 H01L21/26
代理机构 代理人
主权项
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