发明名称 Wafer Level Package (WLP) mit Die-Aufnahmebohrung und Verfahren zu deren Herstellung
摘要 Eine Struktur eines Packages mit einem Substrat mit einer Die-Aufnahmedurchbohrung und metallischen Kontaktanschlüssen, einer Basis, die an einer unteren Fläche des Substrats angebracht ist, einem Die, das in der Die-Aufnahmedurchbohrung angeordnet ist und an die Basis angebracht ist, eine dielektrische Schicht, die auf dem Die und dem Substrat ausgebildet ist, einer Redistributionsschicht (RDL), die auf der dielektrischen Schicht ausgebildet und mit dem Die gekoppelt ist, einer Schutzschicht, die über dem RDL ausgebildet ist, und einer Mehrzahl von Anschlusskontakten, die auf der Schutzschicht angeordnet und mit der RDL gekoppelt sind. Das RDL besteht aus einer Legierung, nämlich einer Ti/Cu/Au-Legierung oder einer Ti/Cu/Ni/Au-Legierung.
申请公布号 DE102007063341(A1) 申请公布日期 2008.07.17
申请号 DE20071063341 申请日期 2007.12.28
申请人 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC. 发明人 YANG, WEN-KUN
分类号 H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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