半导体器件及其制造

摘要

选择腐蚀多层结构中位于各层下面的半导体层4的方法，层1的材料与层4相同或相似，腐蚀对层1无显著影响。预蚀层1、4，层5下面出现带凹槽10的阶梯结构，在已预蚀的结构上用r.f.方法淀积SiO₂11，凹槽的SiO₂最薄，且有选择地去除之，在层1仍有SiO₂覆盖时腐蚀层4至要求的宽度。该方法可用于传质埋层异质结构激光器的制造，层1、4是镓铟砷磷，层3、5是铟磷，最后用质量传递工艺以铟磷填充凹槽。层1、5可以为P型、层3为n型，层1为激光器提供一个电接触层。

主权项

1、选择腐蚀多层结构第一层(4)的方法，该结构第一层(4)的半导体材料与另外一层(1)的半导体材料相同或类似，上述两层由一层或几层其它半导体材料层(5)隔开，第一层(4)淀积在相邻两个不同半导体材料层(3、5)之间，另外一层(1)构成结构的最外层，方法是，要腐蚀第一层(4)而不要较多地腐蚀另外一层(1)，其特点是：对第一层(4)和另外一层(1)均预先进行小量的腐刻，使得在上述两个邻层(5、3)之间的第一层(4)内出现凹槽(10)，在预蚀的结构上涂覆抗蚀材料(11)，至少使另一层(1)的残余部分被覆盖而凹槽(10)的壁不被覆盖，然后再对第一层4进行一预定量的腐蚀。