| 摘要 |
Es wird eine Lichtmaske (10) beschrieben, die insbesondere zur Belichtung photoempfindlicher Schichten (24) bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen verwendet werden kann. Die Maske enthält ein für das Expositionslicht durchlässiges Substrat (12), auf dem sich eine dünne Schicht (14) aus Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium, befindet. Die Schicht (14) enthält Bereiche (16, 18), die unterschiedliche Anteile an der kristallinen und an der amorphen Phase des Schichtmaterials enthalten und daher unterschiedliche Absorptionskoeffizienten bzw. unterschiedliche Transmission für bestimmte Lichtwellenlängen aufweisen. Die Bereiche unterschiedlicher Transmission bestehen vorzugsweise aus der kristallinen bzw. amorphen Phase des Siliciums. Die Herstellung einer solchen Maske erfolgt vorzugsweise durch selektive Umwandlung von Bereichen einer Schicht aus kristallinem Halbleitermaterial in die amorphe Phase des Materials mittels eines fein fokussierten Ionenstrahls, obwohl auch Laser- und Elektronenstrahlen mit bestimmten Strahleigenschaften verwendet werden können. |
