| 发明名称 | 半导体器件和制造方法以及电镀液 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提高应力-迁移电阻以及包含金属区的半导体器件中的可靠性。在绝缘膜(101)中形成由阻挡金属膜(102)和铜-银合金膜(103)上组成的下互连，然后在其上形成夹层绝缘膜(104)。在夹层绝缘膜(104)中形成由阻挡金属膜(106)和铜-银合金膜(111)组成的上互连。下和上互连用含有的银与总量之比超过银比铜的固溶体限度的铜-银合金制成。 | ||
| 申请公布号 | CN100456438C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200410104948.8 | 申请日期 | 2003.04.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 上野和良 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);C25D3/38(2006.01);C25D3/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤：将半导体衬底的形成器件的形成表面与含银和铜的电镀液接触；以及在半导体衬底上形成主要由铜组成并包含银的金属区，其中，按重量计算，所述电镀液中氯化物离子的浓度为100ppm或更低，以及其中，所述电镀液包含0.01至5mol/L的铜、0.01至5mol/L的银、0.01至5mol/L的乙二胺，和水。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||