| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括位于衬底上的具有第一离子注入层的第一外延层、具有第二离子注入层的第二外延层以及具有第三离子注入层的第三外延层。第一、第二和第三离子注入层可分别提供红光、绿光以及蓝光光电二极管。可在第三外延层中且在第三离子注入层上形成沟槽，以移除第三外延层的损坏表面，从而可抑制漏电现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101378069A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810215301.0 | 申请日期 | 2008.09.01 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴正秀 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器，包括：第一外延层，位于半导体衬底上；第二外延层，位于该第一外延层上；第三外延层，位于该第二外延层上；第一离子注入层，位于该第一外延层中；第二离子注入层，位于该第二外延层中；第三离子注入层，位于该第三外延层中；以及沟槽，位于该第三外延层中且在该第三离子注入层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||