发明名称 |
一种对集成电路关闭内部功能的实现方法 |
摘要 |
本发明公开了一种对集成电路关闭内部功能的实现方法,其包括以下步骤:A、在集成电路芯片工作模式下向其非易失存储器里的预定单元中,写入一个预先定义的特征值;B、所述集成电路内部相关功能电路采用分级复位,在分级复位的过程中强制逐个验证所述非易失存储器预定单元中是/否是预定的特征值,以打开/关闭对应的功能/模式。本发明方法通过在存储区域内存储的特定特征值,实现在上电复位时的不同的功能的选择性关闭,从而增强了芯片的安全性,并且针对不同情形实现了集成电路的永久选择性设置。 |
申请公布号 |
CN100470680C |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN200610062366.7 |
申请日期 |
2006.08.30 |
申请人 |
北京兆日科技有限责任公司 |
发明人 |
仇建 |
分类号 |
G11C16/22(2006.01)I;G06F21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/22(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君胜知识产权代理事务所 |
代理人 |
王永文 |
主权项 |
1、一种对集成电路关闭内部功能的实现方法,其包括以下步骤:A、在集成电路芯片工作模式下向其非易失存储器里的预定单元中,写入一个预先定义的特征值,所述特征值不是非易失存储器测试用数值;B、所述集成电路内部相关功能电路采用分级复位,在分级复位的过程中强制逐个验证所述非易失存储器预定单元中是/否是预定的特征值,以打开/关闭对应的模式;所述分级复位的过程是:B1、在上电复位过程中,检测到所述非易失存储器的预定单元里的数据是第一模式的特征值,置该第一模式为有效;B2、在所述集成电路芯片上电复位结束后,向所述非易失存储器预定单元中写第二模式的特征值;B3、当所述集成电路芯片再次上电复位时,检测到所述非易失存储器预定单元中的第二模式特征值,所述集成电路芯片就工作在第二模式。 |
地址 |
100088北京市海淀区知春路6号锦秋国际大厦B座4层 |