发明名称 微机电之电容补偿结构及其方法
摘要 本发明为微机电之电容补偿结构及其方法,系于一矽基底上表面形成绝缘层,该绝缘层内制作有电容,该电容其中一侧至少包含一基础电容板及至少一补偿电容板,前述基础电容板与补偿电容板彼此独立且具备向外导通之金属电路,而前述金属电路连接于一开关;藉此,本发明有效避免电容不匹配的问题,且能减少不同生产批次间的差异。
申请公布号 TW200935469 申请公布日期 2009.08.16
申请号 TW097104389 申请日期 2008.02.04
申请人 微智半导体股份有限公司 发明人 陈晓翔
分类号 H01G5/04(2006.01);B81B7/02(2006.01) 主分类号 H01G5/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈天赐
主权项
地址 新竹市东区民生路255号10楼