| 摘要 |
本发明描述用以制造、程式化及感知一多级一次可程式化记忆体单元的方法，该多级一次可程式化记忆体单元包括串联之一诸如二极体的引导元件及两个、三个或三个以上的介电抗熔丝。该等抗熔丝可为不同厚度，或可由具有不同介电常数之介电材料所形成，或者可为不同厚度且由具有不同介电常数之介电材料所形成。选择该等抗熔丝及程式化脉冲，使得在程式化该单元时，该记忆体单元中之最大电压降落系在该等抗熔丝中之仅一者上，而其他抗熔丝允许一些泄漏电流。在一些实施例中，具有最大电压降落之抗熔丝击穿，而其他抗熔丝保持完好。以此方式，可将该等抗熔丝个别地击穿，因此一具有两个、三个或三个以上抗熔丝之记忆体单元可达成三个、四个或四个以上独特资料状态中之任一者。 |
