发明名称 SEMI-CONDUCTEUR A PLOT DE METALLISATION DE STRUCTURE PERFECTIONNEE, ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TEL PLOT
摘要 <p><P>STRUCTURE DE PLOT DE METALLISATION POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>ELLE COMPREND DES COUCHES D'ALUMINIUM 10, DE NICKEL 22 ET DE CUIVRE 24 DEPOSEES DIRECTEMENT PAR-DESSUS UN PLOT DE METALLISATION EN ALUMINIUM COURANT 12. LA COUCHE DE NICKEL S'OPPOSE A LA MIGRATION DE CUIVRE AU SEIN DU COUSSIN DE METALLISATION EN ALUMINIUM SOUS-JACENT, TANDIS QUE LA COUCHE D'ALUMINIUM SUPPLEMENTAIRE S'OPPOSE A LA MIGRATION TANT DE NICKEL QUE DE CUIVRE VERS L'INTERIEUR DU SUBSTRAT 10 DU DISPOSITIF.</P></p>
申请公布号 FR2583925(A1) 申请公布日期 1986.12.26
申请号 FR19860008961 申请日期 1986.06.20
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP 发明人 HEM P. TAKIAR, DIVYESH P. SHAH ET JAGDISH G. BELANI
分类号 H01L21/60;H01L23/485;(IPC1-7):H01L29/46;H01L21/92 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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