发明名称 |
SEMI-CONDUCTEUR A PLOT DE METALLISATION DE STRUCTURE PERFECTIONNEE, ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TEL PLOT |
摘要 |
<p><P>STRUCTURE DE PLOT DE METALLISATION POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>ELLE COMPREND DES COUCHES D'ALUMINIUM 10, DE NICKEL 22 ET DE CUIVRE 24 DEPOSEES DIRECTEMENT PAR-DESSUS UN PLOT DE METALLISATION EN ALUMINIUM COURANT 12. LA COUCHE DE NICKEL S'OPPOSE A LA MIGRATION DE CUIVRE AU SEIN DU COUSSIN DE METALLISATION EN ALUMINIUM SOUS-JACENT, TANDIS QUE LA COUCHE D'ALUMINIUM SUPPLEMENTAIRE S'OPPOSE A LA MIGRATION TANT DE NICKEL QUE DE CUIVRE VERS L'INTERIEUR DU SUBSTRAT 10 DU DISPOSITIF.</P></p> |
申请公布号 |
FR2583925(A1) |
申请公布日期 |
1986.12.26 |
申请号 |
FR19860008961 |
申请日期 |
1986.06.20 |
申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
发明人 |
HEM P. TAKIAR, DIVYESH P. SHAH ET JAGDISH G. BELANI |
分类号 |
H01L21/60;H01L23/485;(IPC1-7):H01L29/46;H01L21/92 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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