发明名称 CIRCUIT DE COMMUTATION INTEGRALE MONOLITHIQUEMENT A RENDEMENT ELEVE
摘要 <P>CIRCUIT DE COMMUTATION, INTEGRABLE MONOLITHIQUEMENT, A RENDEMENT ELEVE, COMPRENANT UN TRANSISTOR FINAL DE PUISSANCE T PILOTE A LA COMMUTATION AU MOYEN D'UN SECOND TRANSISTOR T RACCORDE A SA BORNE DE COMMANDE.</P><P>DES ELEMENTS DE CIRCUIT POUR L'EXTRACTION DE CHARGES T, T, T SONT RACCORDES AUX BORNES DE BASE DES DEUX TRANSISTORS; ILS SONT ACTIVES PAR UN CIRCUIT D'HABILITATION T, T, T QUI PRESENTE UNE BORNE DE COMMANDE EN ET UNE BORNE D'ENTREE RELIEE A LA BORNE DE COLLECTEUR D'UN TROISIEME TRANSISTOR T DONT LES BORNES D'EMETTEUR ET DE BASE SONT RACCORDEES RESPECTIVEMENT A LA BORNE D'EMETTEUR ET A LA BORNE DE BASE DU SECOND TRANSISTOR T.</P>
申请公布号 FR2583940(A1) 申请公布日期 1986.12.26
申请号 FR19860008708 申请日期 1986.06.17
申请人 SGS MICROELETTRONICA SPA 发明人 ANGELO ALZATI ET ANTONELLA LANATI;LANATI ANTONELLA
分类号 H03K17/04;H03K17/0412;H03K17/60;H03K17/64;(IPC1-7):H03K17/64 主分类号 H03K17/04
代理机构 代理人
主权项
地址