| 发明名称 | 绝缘体上半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘体上半导体(SOI)装置(20)的制造方法。于一个实施例中，本方法包括提供单晶硅衬底(24)，在该衬底上覆有单晶硅层(22)，并以电介质层(26)将该衬底与该单晶硅层分隔。沉积并图案化栅电极材料(39)以形成栅电极(40，42)和间隔件(44)。使用该栅电极(40，42)作为离子注入掩模而将杂质决定掺杂物离子(54，56)注入到单晶硅层(22)中，以在该单晶硅层(22)中形成间隔开的源极(56，66)和漏极(58，68)区域，以及使用该间隔件(44)作为离子注入掩模而将该杂质决定掺杂物离子注入到单晶硅衬底(24)中，以在该单晶硅衬底(24)中形成间隔开的装置区域(60，70)。然后形成电接触件(76)接触该等间隔开的装置区域(60，70)。 | ||
| 申请公布号 | CN100562988C | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200680016389.2 | 申请日期 | 2006.04.19 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·M·佩莱拉 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1、一种绝缘体上半导体装置(20)的制造方法，该绝缘体上半导体装置具有单晶硅层(22)覆于单晶硅衬底(24)上，且该单晶硅层与该单晶硅衬底之间以电介质层(26)分隔，该方法包括下列步骤：形成电介质隔离区域(30)延伸穿过该单晶硅层(22)；沉积栅电极材料(39)覆于该单晶硅层(22)上；图案化该栅电极材料(39)以形成栅电极(40，42)和间隔件(44)；通过使用该间隔件(44)作为蚀刻掩模而蚀刻穿过该电介质隔离区域(30)和该电介质层(26)以形成间隔开的开口，以暴露该单晶硅衬(24)的部分；通过使用该栅电极(42)作为离子注入掩模而离子注入第一杂质决定掺杂物离子(54)至该单晶硅层(22)中，以于该单晶硅层(22)中形成间隔开的源极(56)和漏极(58)区域，以及通过使用该间隔件(44)作为离子注入掩模而离子注入该第一杂质决定掺杂物离子(54)至该单晶硅衬底(24)的暴露部分中，以于该单晶硅衬底(24)的暴露部分中形成装置区域(60)；通过使用该栅电极(40)作为离子注入掩模而离子注入第二杂质决定掺杂物离子(64)至该单晶硅层(22)中，以于该单晶硅层(22)中形成间隔开的源极(66)和漏极区域(68)，以及通过使用该间隔件(44)作为离子注入掩模而离子注入该第二杂质决定掺杂物离子(64)至该单晶硅衬底(24)中，以于该单晶硅衬底(24)中形成另外的装置区域(70)，其中，该装置区域(60)与该另外的装置区域(70)相间隔开；以及电接触(76)多个该间隔开的装置区域(60，70)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||