射频开关

摘要

一种选择性地改变射频信号的开关包括至少3个场效应晶体管，它们以串联方式连接。设置在中间级的源极或漏极的宽度比设置在起始级和末级的源极或漏极的宽度窄。因此，就有可能在中间级降低对地的寄生电容，并有可能由此实现具有高处理功率的开关。

主权项

1.一种开关，包括至少3个场效应晶体管，全部所述至少3个场效应晶体管使得射频信号从一端朝另一端传送，并使得射频信号从所述一端通过全部所述至少3个场效应晶体管，所述至少3个场效应晶体管串联连接在位于所述一端与所述另一端之间的一节点与地之间，其中所述至少3个场效应晶体管中设置在起始级的场效应晶体管连接到所述节点，并且所述至少3个场效应晶体管中设置在末级的场效应晶体管连接到地，其中所述至少3个场效应晶体管中设置在起始级的场效应晶体管的漏极连接到所述节点，并且所述至少3个场效应晶体管中设置在末级的场效应晶体管的源极连接到地；所述至少3个场效应晶体管中设置在中间级的场效应晶体管的漏极连接到所述至少3个场效应晶体管中设置在起始级的场效应晶体管的源极，并且所述至少3个场效应晶体管中设置在中间级的场效应晶体管的源极连接到所述至少3个场效应晶体管中设置在末级的场效应晶体管的漏极；所述至少3个场效应晶体管中设置在中间级的场效应晶体管的源极和漏极的宽度小于所述至少3个场效应晶体管中设置在起始级的场效应晶体管的漏极的宽度和所述至少3个场效应晶体管中设置在末级的场效应晶体管的源极的宽度；并且在全部所述至少3个场效应晶体管都处于截止状态的情况下，所述开关使得射频信号从所述一端朝所述另一端传送，并且在全部所述至少3个场效应晶体管都处于导通状态的情况下，使得射频信号从所述一端通过全部所述至少3个场效应晶体管到达地。