传递发光二极体的方法

摘要

明描述微发光二极体(LED)及形成用于传递至接收基板之微LED阵列的方法。微LED结构可包括微p-n型二极体及金属化层，其中金属化层在微p-n型二极体与接合层之间。等形介电质障壁层可横跨微p-n型二极体之侧壁。可拾取微LED结构及微LED阵列并将微LED结构及微LED阵列传递至接收基板。

主权项

一种将一微发光二极体传递至一接收基板的方法，该方法包含以下步骤：将一传递头定位在一载体基板上方，该载体基板具有一微LED结构阵列设置在该载体基板上，每一微发光二极体结构包含：一微p-n型二极体；以及一金属化层，其中该金属化层在该微p-n型二极体与该载体基板上之一接合层之间；将该等微发光二极体结构之至少一者之该接合层加热至高于该接合层之一液相线温度以液化该接合层；当该接合层被液化时用该传递头拾取用于该等微发光二极体结构之该至少一者的该微p-n型二极体及该金属化层；以及将用于该微发光二极体结构之该至少一者之该微p-n型二极体及该金属化层放置在该接收基板上。