发明名称 |
薄膜电晶体,具有该薄膜电晶体的显示装置,和其制造方法 |
摘要 |
明提供一种电特性优越的薄膜电晶体、以及包括该薄膜电晶体的显示装置、和这些的制造方法。该薄膜电晶体包括:形成在闸极电极上的闸极绝缘膜;形成在闸极绝缘膜上的微晶半导体膜;形成在微晶半导体膜上的缓冲层;形成在缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜;形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线,其中,在闸极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施体的杂质元素。
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申请公布号 |
TWI535035 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW103118424 |
申请日期 |
2008.10.02 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;黑川义元;神保安弘;小林聪;河江大辅 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种薄膜电晶体的制造方法,包含如下步骤:藉由引入包括一杂质元素的气体以及包括矽或锗的沉积性气体,在一闸极电极上形成包括该杂质元素的一闸极绝缘膜;以及藉由引入包括矽或锗的沉积性气体、以及氢,在包括该杂质元素的该闸极绝缘膜上形成一微晶半导体膜。
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地址 |
日本 |