发明名称 |
薄膜电晶体 |
摘要 |
明提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜电晶体。该薄膜电晶体包括覆盖闸极电极的闸极绝缘层、与闸极绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源极区和汲极区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在闸极绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供位障区。 |
申请公布号 |
TWI535028 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW099143763 |
申请日期 |
2010.12.14 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
宫入秀和;笹川慎也;仓田求 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种薄膜电晶体,包括:闸极电极;闸极绝缘层,在该闸极电极上方;半导体层,在该闸极绝缘层上方,该半导体层与该闸极电极重叠;杂质半导体层,在该半导体层上方;位障区,在该半导体层的侧表面上;以及布线,在该杂质半导体层和该位障区上方,该布线系电连接到该杂质半导体层,其中,该半导体层包括具有凹凸表面的微晶半导体区和第一非晶半导体区。
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地址 |
日本 |