半导体装置的制造方法

摘要

在于以降低曝光光罩的数目来简化微影术制程之方式，低成本高生产率地制造包含氧化物半导体的半导体装置。在包含通道蚀刻逆交错薄膜电晶体的半导体装置的制造方法中，使用藉由多色调光罩形成的光罩层，蚀刻氧化物半导体膜及导电膜，多色调光罩是曝光光罩，其使光透射过而具有多个强度。以使用蚀刻溶液的湿蚀刻，执行蚀刻步骤。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下述步骤：于具有绝缘表面的基底上形成闸极电极层；将闸极绝缘层、氧化物半导体膜、及导电膜堆叠于该闸极电极层上；于该闸极绝缘层、该氧化物半导体膜、及该导电膜上，形成第一光罩层；藉由在第一蚀刻步骤中使用该第一光罩层以蚀刻该氧化物半导体膜及该导电膜，形成氧化物半导体层及导电层；藉由蚀刻该第一光罩层，形成第二光罩层；以及，藉由在第二蚀刻步骤中使用该第二光罩层以蚀刻该氧化物半导体层及该导电层，形成具有凹部的氧化物半导体层、源极电极层、以及汲极电极层，其中，使用曝光光罩以形成该第一光罩层，其中，在该第一蚀刻步骤及该第二蚀刻步骤中均采用使用蚀刻溶液的湿蚀刻，其中，具有该凹部的该氧化物半导体层包含一区域，该区域的厚度小于与该源极电极层或该汲极电极层重叠的区域的厚度，以及其中，具有该凹部的该氧化物半导体层的端部具有曲面。