具有减少崩溃电压之低电压暂态电压抑制器

摘要

体接面装置，包含为具有预先选择的极性之低电阻率的半导体材料之基底。锥形凹部延伸入此基底中并且当其从此基底的上表面向下延伸时朝内变尖细。半导体层设置在此凹部内并且延伸到此基底的上表面上。此半导体层具有与此基底相反的极性。金属层覆盖在此半导体层上。

主权项

一种半导体接面装置，包含：基底，为具有预先选择的极性之低电阻率的半导体材料；锥形凹部，延伸入该基底中并且当其从该基底的上表面向下延伸时朝内变尖细，其中该锥形凹部为V型凹槽；半导体层，设置在该凹部内并且延伸到该基底的上表面上，该半导体层具有与该基底相反的极性，其中该半导体层系经由下列步骤形成：首先沉积未掺杂的多晶矽层，布植具有与该基底的极性相反的掺杂物到该多晶矽层中，以及使用退火程序来扩散该掺杂物到基底中，而使得位于该锥形凹部尖底的电场被加强，以降低该装置的崩溃电压；且其中该半导体层覆盖用于形成遮罩的氧化物层以建立该锥形凹部；以及金属层，覆盖在该半导体层上，其中，该凹部的底部延伸到该基底中约1-10μm的深度。