| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI CMOS CON RIDUZIONE DEL NUMERO DI FASI DI MASCHERATURA. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT8622853(D0) |
申请公布日期 |
1986.12.23 |
| 申请号 |
IT19860022853 |
申请日期 |
1986.12.23 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
STEFANO MAZZALI |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/762;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
