| 发明名称 |
INTEGRATED SUPERCONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION |
| 摘要 |
통합된 초전도체 디바이스는 기판 베이스 및 기판 베이스 상에 배치되며 선호되는 결정학적 배향을 포함하는 중간 층을 포함할 수 있다. 통합된 초전도체 디바이스는, 중간 층 상에 배치된 배향된 초전도체 층 및 배향된 초전도체 층의 일 부분 상에 배치된 전도성 스트립을 더 포함할 수 있다. 전도성 스트립은, 그 아래에 배향된 초전도체 층의 초전도체 영역 및 초전도체 영역에 인접한 배향된 초전도체 층의 노출된 영역을 획정할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160084851(A) |
申请公布日期 |
2016.07.14 |
| 申请号 |
KR20167015070 |
申请日期 |
2014.11.10 |
| 申请人 |
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. |
发明人 |
WANG CONNIE P.;MURPHY PAUL;SULLIVAN PAUL |
| 分类号 |
H01L39/02;H01B12/06;H01B13/30;H01L39/14;H01L39/16;H01L39/24 |
主分类号 |
H01L39/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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