半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层。该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层，由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率f_T和电流增益hFE得到提高。

主权项

1、制造半导体集成电路的一种方法，它包括下列工艺过程：在另一种导电类型的半导体衬底表面的一个区域(此处将要制做一个元件)上形成一种导电类型埋层，以及在半导体衬底表面上形成的上述埋层周围的一个区域上形成另一种导电类型的双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程；在上述衬底表面上形成一种导电类型外延层的工艺过程；在上述外延层中朝上向外扩散上述埋层及上述双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程；由上述外延层的表面扩散形成另一种导电类型的双隔离扩散区的上扩散层。使之延伸到上述下扩散层上的工艺过程；在由上述双隔离扩散区围绕的孤立区中扩散形成所需的元件扩散区以形成半导体元件的工艺过程。