PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION A TIERRA DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO Y DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

摘要

PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION A TIERRA DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO Y DE CIRCUITOS INTEGRADOS. SOBRE UN FONDO DE ARSENIURO DE GALIO SE HAN DISPUESTO TRES CONTACTOS: S(SOURCE), D(DRAIN) Y G(GATE). SOBRE UN SOPORTE RIGIDO SE FIJA UN WAFER DE ARSENIURO DE GALIO (GAAS) QUE SUSTENTA MAS DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO (CHIPS), MEDIANTE PEGADURA. LA ELIMINACION POSTERIOR DEL ARSENIURO DE GALIO Y LA ACCESIBILIDAD DE LOS CONTACTOS DE S SE EFECTUA CON UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO. EL MATERIAL APLICADO SOBRE EL DORSO DEL Y SOBRE EL QUE SE TRAZAN LAS LINEAS DE SEPARACION O CAMPOS DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES, SE ELIMINA MEDIANTE DISOLVENTES ORGANICOS (ACETONA). LA METALIZACION DEL DORSO DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES SE HACE CON ORO ELECROLITICO. LA EXTRACCION DEL SOPORTE Y LA SEPARACION DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES SE REALIZA CON DISOLVENTES ORGANICOS TAMBIEN (TRIELINA). EL MONTAJE DE LOS CHIPS SE EFECTUA CON UNA ALEACION DE AUSN O CON RESINAS CARGADAS DE PLATA.