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DISPOSICION DE SEMICONDUCTOR CON, AL MENOS, UNA METALIZACION EN ALGUNA DE SUS SUPERFICIES. SE CARACTERIZA PORQUE EN LA SUPERFICIE DE LA DISPOSICION DE SEMICONDUCTOR DEL LADO DE LA METALIZACION SE HAN GRABADO AL AGUAFUERTE ELEVACIONES Y VALLES EN LOS QUE SE ENCUENTRAN LAS PARTICULAS DE LA METALIZACION. LA DISPOSICION ES, EN SI, UN CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICO. EN SU SUPERPFICIE SE HAN DISPUESTO, POR DEBAJO DE LA METALIZACION, ALMAS O ESCALONES EN FORMA DE TIRAS, DE REJILLA O ALVEOLOS DE MATERIAL DIELECTRICO. EL OXIDO PRESENTA ESPESORES DIFERENTES POR DEBAJO DE LA METALIZACION. EN LAS ZONAS SUPERFICIALES CON COLECTOR SITUADO POR DEBAJO, SE HAN APLICADO ZONAS CON DIFUSION DE BASE O DIFUSION DE EMISOR. EN AQUELLAS CON DIFUSION DE BASE SITUADA POR DEBAJO, SE HAN APLICADO ZONAS CON DIFUSION DE EMISOR. EN LA SUPERFICIE LIMITE DE SILICIO SE HAN GRABADO AHONDAMIENTOS AL AGUAFUERTE. EL ANCHO DE LAS ELEVACIONES CONFIGURADAS COMO ALMAS ES DE 4 A 50 MM, Y SU SEPARACION ES DE 20 A 100 MM.
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