| 摘要 |
본 발명의 일실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자 제조방법은, 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 단계, 플로팅 게이트의 측면을 따라 유전막을 형성하는 단계, 기판 상측에서 플로팅 게이트와 유전막을 덮도록 컨트롤 게이트용 전도층을 형성하는 단계, 컨트롤 게이트용 전도층의 일측에 포토 레지스트(PR) 패턴을 형성하는 단계, 플로팅 게이트의 유전막이 드러날 때까지 전도층을 에치백하여, 플로팅 게이트의 측면 부분에 스페이서 형태의 컨트롤 게이트를 형성하는 단계 및 포토 레지스트 패턴을 제거하여 컨트롤 게이트의 일측 방향에 컨택트 플러그와 연결되는 폴리 패드를 형성하는 단계를 포함한다. |
