| 摘要 |
ｐ型バルク基板（１）のおもて面側に設けられたｎ-拡散領域（２）の表面層には、ｐ拡散領域（３）が選択的に設けられる。ｎ-拡散領域（２）には、電源電位（ＶＢ）が印加され、ハイサイド駆動回路のＰＭＯＳ（１２）と、クランプ用ＰＭＯＳ（１４）とが配置される。ｐ拡散領域（３）には、中間電位（ＶＳ）が印加され、ハイサイド駆動回路のＮＭＯＳ（１３）が配置される。ハイサイド駆動回路は、中間電位（ＶＳ）を基準電位として、中間電位（ＶＳ）と電源電位（ＶＢ）との間の電位で動作する。クランプ用ＰＭＯＳ（１４）の閾値電圧は−０．１Ｖ〜−０．６Ｖ程度である。クランプ用ＰＭＯＳ（１４）のｐ+ソース領域（４１）およびゲート電極（４６）はＶＢ電極（２ｂ）に接続される。クランプ用ＰＭＯＳ（１４）のｐ+ドレイン領域（４２）はＶＳ電極（３ｂ）に接続される。これにより、サージによる破壊を防止することができる。 |
