Method of producing films of silicon oxide doped with boron and phosphorus for use in semiconductor integrated circuits.

摘要

Bei der Herstellung von mit Bor und Phosphor dotierten SiO2-Schichten auf Halbleitersubstratscheiben (2) werden als Ausgangsstoffe für die thermische Zersetzung (Abscheidung aus der Gasphase) die Verbindungen Tetraäthylorthosilikat ((C2H5O)4Si) (10), Trimethylborat ((CH3O)3B) (13) und Trimethylphosphat ((CH3O)3PO) (15) oder Phosphin (PH3) (14) mit Sauerstoff (O2) verwendet. Die gleichzeitige thermische Zersetzung wird in einem Niederdruck-Reaktor (3) oberhalb von 600°C durchgeführt und die Ausgangsstoffe über getrennte Verdampfer (10, 13, 15) dem Reaktor (3) zugeführt. Es werden gegen Luftfeuchtigkeit chemisch stabile Bor-Phosphor-Silikatglasschichten erhalten, die eine sehr gute Kantenbedeckung und gute elektrische Isolationseigenschaften aufweisen. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik, insbesondere für hochintegrierte MOS-Speicher.