| 发明名称 |
Semiconductor device for making decoupling capacities placed between supply and earth of integrated circuits. |
| 摘要 |
<p>Dispositif semiconducteur incluant au moins un transistor à effet de champ T monolithiquement intégré, sur un substrat (10) avec une diode de découplage entre une ligne d'alimentation continue VDD et un eligne de masse M. Le transistor de préférence est un transistor de type MESFET qui est formé dans une première</p> |
| 申请公布号 |
EP0204387(A1) |
申请公布日期 |
1986.12.10 |
| 申请号 |
EP19860200982 |
申请日期 |
1986.06.05 |
| 申请人 |
LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE L.E.P.;N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN |
发明人 |
MEIGNANT, DIDIER SERGE |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8222;H01L21/8232;H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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