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发明名称 MIS TRANSISTOR HAVING A DEPOSITED AND BURIED ISOLATION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 EP0115131(A3) 申请公布日期 1986.12.10
申请号 EP19830307327 申请日期 1983.12.01
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 HORIGUCHI, FUMIO
分类号 H01L21/28;H01L21/31;H01L21/762;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76;H01L29/60 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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