| 摘要 |
<P>CE DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES, NOTAMMENT POUR DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES, A UNE SURFACE REDUITE, ASSURE UNE PROTECTION A LA FOIS CONTRE LES POINTES DE TENSION POSITIVES ET NEGATIVES ET A DES CARACTERISTIQUES AMELIOREES. LE DISPOSITIF COMPORTE AU MOINS UN ETAGE 10, 10 A MONTER EN PARALLELE AVEC UN CIRCUIT 5 A PROTEGER; CEPENDANT, CES DEUX ETAGES 10, 10 PEUVENT ETRE INTERPOSES ENTRE LA BORNE D'ENTREE DU CIRCUIT ET LA TERRE OU LA SOURCE DE COURANT RESPECTIVEMENT. CHAQUE ETAGE COMPORTE UN TRANSISTOR BIPOLAIRE 15, 15 DONT LA BASE A UNE CONFIGURATION ALLONGEE S'ETENDANT DU CONTACT DE BASE JUSQU'EN DESSOUS LA REGION D'EMETTEUR, AVEC UNE PORTION DE SECTION TRANSVERSALE REDUITE DEFINISSANT UNE RESISTANCE INTEGREE 16, 16.</P>
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