DYNAMIC MEMORY WITH INCREASED DATE RETENTION TIME

摘要

Mémoire dynamique permettant d'obtenir des courants de fuite réduit à travers les transistors d'accès (M 11) en empêchant les conducteurs de colonnes à basse tension C1 d'attendre zéro Volts pendant au moins la majeure partie de la durée de la partie active d'un cycle de mémoire. Les conducteurs à basse tension sont éventuellement autorisés à attendre zéro Volts durant l'opération de régénération. Un des avantages de la présente invention est de pouvoir augmenter le temps de mémorisation de données entre les opérations de régénération requises.