| 摘要 |
<p>Procédé de fabrication d'un laser à semiconducteur à géométrie à ruban et laser obtenu par ce procédé. Après réalisation d'une double hétérostructure (2, 3, 4, 5) sur un substrat (1), on implante dans les couches (5) et (4) un dopant P ; cette implantation rend isolantes ces deux couches. On effectue ensuite un recuit local par focalisation d'une source d'énergie appropriée (22). La partie recuite retrouve ses propriétés de conduction électriques et est dopée. Ainsi, un ruban conducteur dopé P (26) est réalisé etre deux parties isolantes électriquement (28a, 28b) au-dessus de la zone active du laser (3) ce qui augmente le confinement du courant dans cette zone. Application aux télécommunications optiques.</p> |
