COATING OF III-V AND II-VI COMPOUND SEMICONDUCTORS.,申请号EP19850904953-传众专利搜索

发明名称	COATING OF III-V AND II-VI COMPOUND SEMICONDUCTORS.
摘要	Procédé de fabrication de semiconducteurs de composés III-V et II-VI, consistant à déposer un revêtement de silicium (11) sur le substrat semiconducteur (10), ce revêtement servant de masque de diffusion et/ou couche de passivation. Le revêtement est déposé en évitant d'endommager la surface du semiconducteur.
申请公布号	EP0202240(A1)	申请公布日期	1986.11.26
申请号	EP19850904953	申请日期	1985.10.03
申请人	AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY	发明人	CAMLIBEL, IRFAN;CHIN, ALAND, KWANG-YU;SINGH, SHOBHA;VAN UITERT, LEGRAND, GERARD;ZYDZIK, GEORGE, JOHN
分类号	H01L21/22;H01L21/314;H01L21/324;H01L21/471;H01L21/477;H01L23/28;(IPC1-7):H01L21/314	主分类号	H01L21/22
代理机构		代理人
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