Process for producing on an insulator substrate an oriented single silicon crystal film with localized faults.

摘要

Ce procédé consiste à recouvrir un substrat en silicium monocristallin (2) d'orientation (100) d'une couche de SiO2(4), réaliser dans la couche de SiO2, une configuration comportant sous forme de band"s isolantes parallèles orientées (100), une alternance de parties en surplomb (8) et de parties en creux (10), réaliser une gravure de la couche de SiO2 afin de former localement aux extrémités de ladite couche au moins une ouverture (14), cette gravure étant réalisée jusqu'à mise à nu du substrat, déposer sur la couche de SiO2 gravée un film de silicium (16), recouvrir le film de silicium d'une couche encapsulante (20), réaliser un traitement thermique de la structure obtenue afin de recristalliser le film de silicium sous forme monocristalline de même orientation que le substrat, et éliminer la couche encapsulante.