STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT DES TRANSISTORS CMOS A TENUE EN TENSION ELEVEE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION,申请号FR19840014988-传众专利搜索

发明名称	STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT DES TRANSISTORS CMOS A TENUE EN TENSION ELEVEE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION
摘要
申请公布号	FR2571178(B1)	申请公布日期	1986.11.21
申请号	FR19840014988	申请日期	1984.09.28
申请人	THOMSON CSF	发明人	GILLES THOMAS
分类号	H01L21/761;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/08;H01L21/82	主分类号	H01L21/761
代理机构		代理人
主权项
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