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发明名称 PROCESS FOR MAKING ADJACENT ION IMPURITY IMPLANTED WELLS FOR MANUFACTURING HIGHLY INTEGRATED COMPLEMENTARY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUITS
摘要
申请公布号 DE3273862(D1) 申请公布日期 1986.11.20
申请号 DE19823273862 申请日期 1982.12.08
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 SCHWABE, ULRICH, DR.;JACOBS, ERWIN, DR.
分类号 H01L21/265;H01L21/31;H01L21/82;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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