| 发明名称 | 位置－灵敏的辐射探测器 | ||
| 摘要 | 在一种位置灵敏辐射探测器中，在工作条件下，它所含有的半导体本体至少包含一个位于两个附有联接电极(9)的辐射灵敏二极管(6)之间的高欧姆电阻区(11)，一个位于两个附有联接电极(9)的半导体区(6)之间的高欧姆电阻区(11)，可以用下述方法实现表观对中心，即改变加在联接电极(9)上的电压，使通过二极管(6)的光电流相等。由此得到的信号可以提供给诸如光学读取和写入装置及其它测量装置中的测量和控制系统。 | ||
| 申请公布号 | CN86102770A | 申请公布日期 | 1986.11.19 |
| 申请号 | CN86102770 | 申请日期 | 1986.04.21 |
| 申请人 | 菲利浦光灯制造公司 | 发明人 | 霍伯雷克斯·阿瑟·玛丽·尤金;诺拉·戴特·简·威廉 |
| 分类号 | G11B7/095 | 主分类号 | G11B7/095 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖春京;杜有文 |
| 主权项 | 1、一种用于测定或控制照射在辐射灵敏半导体本体主表面上的辐射束位置的半导体器件，它至少配有两个辐射灵敏二极管，它们与半导体本体相邻部分构成整流结，并有电接线以引出由入射辐射所产生的电流，其特征在于：在工作条件下，至少在二极管间有一个高欧姆电阻区电流通道，这个器件还配有一个调整线路，该线路使和二极管相关的整流结处于这样不同的偏压，与辐射束入射于二极管之间的主表面上的位置无关，使通过两个二极管所产生的电流实际上是相等的。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬·格陵纽沃德路1号 | ||