| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER PRODURRE UN DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE IN UNO STRATO EPITASSIALE SIMULATO |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1147064(B) |
申请公布日期 |
1986.11.19 |
| 申请号 |
IT19800049502 |
申请日期 |
1980.08.14 |
| 申请人 |
GERNERAL INSTRUMENT CORP. |
发明人 |
MULTANI JAGIR S.;SANDHU JAGTAR |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L21/265;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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