| 主权项 |
1.一可熟化组成物,包括: (a)一酸基终止聚二有机矽氧烷, (b)一有效量之缩合催化剂,和 (c)使所说之组成物自动整平之胺 有效量2.请求专利部份第1.项之组成物,其中 酸基终止聚二有机矽氧烷之结构式如 下: 其中AC是一饱和脂族单醯基,R和 R1分别选自单价烃基,经卤化单价 烃基和氰烷基,n是至少5之一整数 ,a等于0或1。3.请求专利部份第2.项之组成物,其中 酸基终止聚二有机矽氧烷,于25℃ 之粘度由约100厘泊-500000厘 泊。4.请求专利部份第2.项之组成物,其中 酸基终止聚二有机矽氧烷于25℃之 粘度由约2500厘泊-约100000厘 泊。5.请求专利部份第2.项之组成物,其中 酸基终止聚二有机矽氧烷于25℃之 粘度由约10000厘泊-约50000 厘泊。6.请求专利部份第1.项之组成物,其中 缩合催化剂是一金属羧酸盐,此金属 范围是由铅到锰,包括在金属之电动 序内。7.请求专利部份第6.项之组成物,其中 金属是鍚。8.请求专利部份第6.项之组成物,其中 缩合催化剂存在量以酸基终止聚二有 机矽氧烷之重量为基础占约0.01% -约2.0%重。9.请求专利部份第1.项之组成物,其中 胺是一级胺或二级胺。10.请求专利部份第1.项之 组成物,其中 胺是一二级胺。11.请求专利部份第10.项之组成物, 其中 胺是二己胺。12.请求专利部份第1.项之组成物,其 中 胺存在量以酸基终止聚二有机矽氧烷 之重量为基础大于约25PPm。13.请求专利部份第1.项 之组成物,其中 胺存在量以酸基终止聚二有机矽氧烷 之重量为基础大于约40ppm。14.请求专利部份第1.项 之组成物,其中 胺存在量以酸基终止聚二有机矽氧烷 之重量为基础大于约75ppm。15.请求专利部份第1.项 之组成物,其中 胺存在量以酸基终止聚二有机矽氧烷 之重量为基础,大于约100ppm- 200ppm。16.请求专利部份第1.项之组成物进一步 包括一填充剂。17.请求专利部份第16.项之组成物, 其中 填充剂是一加强增充剂或经处理之加 强填充剂。18.请求专利部份第17.项之组成物,其中 填充剂是经烟薰矽石或经处理之烟薰 过矽石。19.制造一可熟化组成物之方法,包括 I.以无水混合 (a)一酸基终止聚二有机矽氧烷, (b)一有效量之缩合催化剂,和 (c)使所说之组成物自动整平之胺 有效量20.请求专利部份第19.项之方法,其中酸 基终止聚二有机矽氧烷其结构式如下 : 其中Ac是一饱和单醯基,R和R1 分别选自单价烃基,经卤化单价烃基 和氰烷基,n是至少5之一整数,a 等于0或1。21.请求专利部份第20.项之方法,其中酸 基终止聚二有机矽氧烷于25℃之粘 度由约100厘泊-500000厘泊。22.请求专利部份第19.项 之方法,其中胺 是一第一级胺或第二级胺。23.请求专利部份第19. 项之方法,其中胺 一第二级胺。24.请求专利部份第23.项之方法,其中 胺 二己胺25.请求专利部份第19.项之方法,其中胺 存在量,以酸基终止聚二有机矽氧烷 为基础大于约 25 PPm。26.请求专利部份第19.项之方 法,其中胺 存在量,以酸基终止聚二有机矽氧烷 为基础大于约 40 ppm。27.请求专利部份第19.项之方 法,其中胺 存在量,以酸基终止聚二有机矽氧烷 为基础大于约 75 ppm。28.请求专利部份第19.项之方 法进一步包 括与一填充剂混合。29.请求专利部份第28.项之方 法,其中填 充剂是一加强增充剂或一经处理加强 填充剂。30.请求专利部份第29.项之方法,其中填 充剂是经烟薰矽石或经处理烟薰矽石 。31.一可熟化组成物,包括: (a)一矽烷醇终止聚二有机矽氧烷, (b)一有效量之缩合催化剂,和 (c)使所说之组成物自动整平之胺 有效量32.请求专利部份第31.项之组成物,其中 矽烷醇终止聚二有机矽氧烷之结构式 如下: 其中R分别选自单价烃基,经卤化单 价烃基和氰烷基,n是至少5之一整数 。33.请求专利部份第32.项之组成物,其中 矽烷醇终止聚二有机矽氧烷于25℃ 之粘度由约100厘泊-约500000厘 泊。34.请求专利部份第32.项之组成物,其中 矽烷醇终止聚二有机矽氧烷于25℃ 之粘度由约2500厘泊-约100000 厘泊。35.请求专利部份第32.项之组成物,其中 矽烷醇终止聚二有机矽氧烷之粘度于 25℃由约10000厘泊-约 50000厘泊。36.请求专利部份第31.项之组成物,其中 多酸基矽烷之结构式如下: (R1)aSi(OAc)4-a 其中Ac是一经饱和脂族单醯基, R1分别选自单价烃基,经卤化单价 烃基和氰烷基,a等于0或1。37.请求专利部份第31.项 之组成物,其中 缩合催化剂是一金属之羧酸盐,此金 属系由铅到锰,包括在金属之电动序 内。38.请求专利部份第37.项之组成物,其中 金属是锡。39.请求专利部份第37.项之组成物,其中 缩合催化剂之存在量以矽烷醇终止聚 二有机矽氧烷之重量为基础由约 0.01%-约2.0%重。40.请求专利部份第31.项之组成物, 其中 胺是一第一级或第二级胺。41.请求专利部份第31. 项之组成物,其中 胺是一第二级胺。42.请求专利部份第41.项之组成 物,其中 胺是二己胺。43.请求专利部份第31.项之组成物,其 中 胺之存在量以矽烷醇终止聚二有机矽 氧烷为基础,大约25PPm。44.请求专利部份第31.项之 组成物,其中 胺之存在量,以矽烷醇终止聚二有机 矽氧烷为基础大约40ppm。45.请求专利部份第31.项 之组成物,其中 胺之存在量,以矽烷醇终止聚二有机 矽氧烷为基础大约75ppm。46.请求专利部份第31.项 之组成物,其中 胺之存在量,以矽烷醇终止聚二有机 矽氧烷为基础,其存在量由约100 ppm-约200ppm。47.请求专利部份第31.项之组成物,进 一 步包括一填充剂。48.请求专利部份第47.项之组成 物,其中 填充剂是一加强增充剂或一经处理加 强填充剂。49.请求专利部份第48.项之组成物,其中 填充剂是烟薰矽石或经处理烟薰之矽 石。50.制一可熟化组成物之方法,包括: I.无水混合: (a)一矽烷醇终止聚二有机矽氧烷 , (b)在(a)内矽结合羟基每一莫 耳至少约1莫耳多酸基矽烷, (c)一有效量之缩合催化剂, (d)使所说之组成物自动整平之 胺有效量51.请求专利部份第50.项之方法,其中矽 烷醇终止聚二有机矽氧烷之结构如下 。 其中R分别选自单价烃基,经卤化单 价烃基和氰烷基,n是至少5之一整 数。52.请求专利部份第51.项之方法,其中矽 烷醇终止聚二有机矽氧烷之粘度于 25℃约100厘泊-约500000厘泊 。53.请求专利部份第50.项之方法,其中胺 是一第一级胺或第二级胺。54.请求专利部份第50. 项之方法,其中胺 是一第二级胺。55.请求专利部份第50.项之方法,其 中胺 是二己胺。56.请求专利部份第50.项之方法,其中胺 存在量,以矽烷醇终止聚二有机矽氧 烷为基础,大于25PPm。57.请求专利部份第50.项之方 法,其中胺 存在量,以矽烷醇终止聚二有机矽氧 烷为基础,大于40ppm。58.请求专利部份第50.项之方 法,其中胺 存在量,以矽烷醇终止聚二有机矽氧 烷为基础,大于约75ppm。59.请求专利部份第50.项之 方法进一步包 括混合一填充剂。60.请求专利部份第50.项之方法, 其中填 充剂是一加强增充剂或经处理加强填 充剂。61.请求专利部份第60.项之方法,其中填 充剂是烟薰过矽石或经处理过烟薰矽 石。 |
