发明名称 PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL SOLIDO A PARTIR DE UNA FASE GASEOSA SOBRE UN SUBSTRATO.
摘要 <p>PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR DE RECUBRIMIENTOS NO CONTAMINADOS, ALTAMENTE UNIFORMES, DE ELEMENTOS DE COMPUESTOS SELECCIONADOS, SOBRE SUSTRATOS. CONSISTE EN PONER EN CONTACTO EL SUSTRATO CON GASES REACTIVOS QUE FLUYEN EN DIRECCION PARALELA A LA SUPERFICIE EN LA ZONA DE REACCION DE TEMPERATURA CONTROLADA, SIENDO LA DIFERENCIA DE TEMPERATURA A TRAVES DE LA ZONA DE REACCION INFERIOR A DOS GRADOS. LA TEMPERATURA CONTROLADA EN LA CAMARA DE REACCION SE OBTIENE POR CALENTAMIENTO CON RADIACION DE FUENTES DE CALEFACCION RADIANTE, QUE RODEAN SUSTANCIALMENTE LA CAMARA DE REACCION, ESTANDO LAS PAREDES DE DICHA CAMARA DE REACCION FORMADAS POR UN MATERIAL SUSTANCIALMENTE TRANSPARENTE A LA RADIACION. DE APLICACION EN RECUBRIMIENTOS PROTECTORES SOBRE HERRAMIENTAS CORTANTES.</p>
申请公布号 ES8607761(A1) 申请公布日期 1986.11.16
申请号 ES19940005408 申请日期 1985.03.01
申请人 ANICON,INC. 发明人
分类号 C23C16/44;C23C14/24;C23C16/46;C23C16/48;(IPC1-7):B05C9/14 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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