导电率调制型MOS场效应管的过电流保护电路

摘要

双极性场效应管(BIFET)的过电流保护电路具有探测BIFET的漏极和源极之间电压的电压探测电路和一种主开关电路用来降低BIFET的栅极和源极之间电压以及根据电压探测电路的输出来防止BIFET的导通事故或导通延迟。接收到接通栅极信号后，BIFET初始导通期间，在主开关电路变成导通时刻之前有一个延迟时间常数。在本发明中，这样一种情形可以防止，在BIFET初始导通期间过电流保护电路起作用使BIFET不导通或经过一些延迟以后才导通。

主权项

1、一种双极型场效应晶体管(BIFET)的过电流保护电路，BIFET的栅极连接到产生栅极信号电路的输出端，该产生栅极信号的电路包括在BIFET的漏极和源极之间探测电压的第一电压探测电路，其特征在于所述的过电流保护电路还包括降低上述BIFET的栅极和源极之间电压和根据上述电压探测电路的输出来防止上述BIFET的事故或导通延迟的主开关装置。